| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNCPMMLHR-NME | 存储IC |
SKHYNIX/海力士 |
10000 |
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| K4A8G165WB-BIRC | 动态随机存取存储器(DRAM) |
SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| FLXC4006G-20 | YMTC/长江存储 |
10000 |
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| MT62F2G32D4DS-023 WT:B | MICRON/美光 |
10000 |
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| MT53E1G32D2NP-046 WT:B | MICRON/美光 |
10000 |
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| MT53D1024M32D4DT-046 WT:D | DDR存储器 |
MICRON/美光 |
10000 |
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| MT53E768M32D4DT-053 WT:E | 存储IC |
MICRON/美光 |
10000 |
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| MTFC8GAKAJCN-1M WT | eMMC |
MICRON/美光 |
10000 |
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| H58G56BK8VX068N | SKHYNIX/海力士 |
10000 |
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| NT5AD1024M8A3-HRI | NANYA/南亚 |
10000 |
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| MT46H64M16LFCK-6 IT:A | MICRON/美光 |
20000 |
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| CXDB6CCDM-MK | CXMT/长鑫 |
10000 |
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| HMAA8GR7AJR4N-WM T4 | SKHYNIX/海力士 |
10000 |
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| M393A8G40CB4-CWEBY | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| M378A1G44AB0-CWE | 动态随机存取存储器(DRAM) |
SAMSUNG/三星 |
100000 |
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| GD32F470VIT6 | GD/兆易创新 |
10000 |
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| GD25Q16ETIGR | FLASH存储器 |
GD/兆易创新 |
10000 |
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| H5TQ4G63EFR-RDC | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| M425R2GA3BB0-CWM | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| M393A8G40AB2-CWE | 动态随机存取存储器(DRAM) |
SAMSUNG/三星 |
10000 |
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