| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H5CG48CGBDX030N | DDR存储器 |
SKHYNIX/海力士 |
10000 |
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| FEMDNN016G-58A43 | YMTC/长江存储 |
10000 |
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| FLXC4006G-49 | YMTC/长江存储 |
10000 |
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| CXDB7CCDM-MA-M | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| MT53E256M32D2DS-046 WT:B | MICRON/美光 |
10000 |
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| MT53E1G32D4NQ-046 WT:F | MICRON/美光 |
10000 |
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| MT53D768M32D2NP-046 WT:A | MICRON/美光 |
10000 |
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| MTFC4GACAJCN-1M WT | MICRON/美光 |
10000 |
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| KLMEG8UCTA-B041 | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| H58G76BK7HX095N | SKHYNIX/海力士 |
10000 |
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| CXMQ4A464R7MJ-NB1C | CXMT/长鑫 |
10000 |
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| HMAA4GR7AJR8N-WM T4 | SKHYNIX/海力士 |
10000 |
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| CXMQ3A4MA4GR7-CJ1-A | CXMT/长鑫 |
10000 |
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| M393A4K40CB2-CVFBY | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| M393A4K40EB3-CWEC0 | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| M393A4K40DB3-CWEBQ | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| K4B4G1646E-BCNB 000 | SAMSUNG/三星 |
10000 |
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| GD32F103RCT6 | GD/兆易创新 |
10000 |
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| GD32F103VET6 | 单片机MCU |
GD/兆易创新 |
10000 |
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| K4B4G1646E-BCNB | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
10000 |
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